Philips Semiconductors PowerMOS transistor BUK436W-1000B Product specification

更新: 30 September, 2023

BUK436W-1000B是菲利普斯半导体生产的一款N沟道增强型场效应功率晶体管,封装方式为SOT429(TO247),工作电压为1000V,最大电流为3.1A,最大功耗为125W。


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MD5: 161BBE35FDBD2F70DC19F35AD539659C

发布时间: 06 July, 2012

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