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更新: 29 September, 2023
本文档介绍了PBSS4350SA型号的低VCEsat NPN晶体管的特点和特性，包括低饱和电压VCEsat和相关的等效电阻RCEsat、高集电极电流能力IC和ICM、高集电极电流增益hFE以及更高效率的热量生成等。该晶体管适用于低中功率DC/DC转换器、低电压调节(LDO)、MOSFET驱动器、供电线开关和电池充电器等应用。
文件格式: PDF
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MD5: 86C1D756836F40A05CC137C1B921E033
发布时间: 03 July, 2012
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连接: philips PBSS4350SA 50 V low VCEsat NPN transistor 数据手册 PDF