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更新: 30 September, 2023
KM416V4004C,KM416V4104C CMOS DRAM 是一款4,194,304 x 16 位扩展数据输出模式 CMOS DRAM 产品,支持高带宽、低功耗和高可靠性。该产品可选项包括刷新周期(4K Ref.或8K Ref.)、访问时间(-45、-5或-6)和功耗(正常或低功耗)。所有产品均具有 CAS-before-RAS 刷新、RAS-only 刷新和 Hidden 刷新功能。此外,L 版本还支持自刷新操作。
文件格式: PDF
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MD5: C80CE4C34C24E70552D157A74F7302E7
发布时间: 12 June, 2012
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连接: 三星 KM416V4004C,KM416V4104C 数据手册 PDF