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AT49BV040是一种4M位单电压2.7伏电池电压™闪存器，具有以下特点：单电压读写:2.7V至3.6V(BV)，3.0V至3.6V(LV)，快速读取访问时间-120ns，内部程序控制和定时器，16K字节引导块带锁定，快速芯片擦除周期时间-10秒，字节-字节编程-典型30µs/字节，硬件数据保护，数据轮询以检测程序结束，低功耗-25mA活动电流-50µA CMOS待机电流，典型10,000次写入周期，小型包装-8x8mm CBGA - 8x14mm V-TSOP。