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更新: 28 September, 2023
这份文件介绍了Fairchild Semiconductor International于2000年4月发布的FQB3N60 / FQI3N60 600V N-Channel MOSFET产品的特点和特性。该产品采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲耐受能力。适用于高效率开关电源。
文件格式: PDF
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MD5: 00FAE97CB856299A9CF854BB77C0623E
发布时间: 11 June, 2012
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连接: FAIRCHILD FQB3N60 / FQI3N60 600V N-Channel MOSFET 数据手册 PDF