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更新: 01 October, 2023
SPP11N60S5, SPB11N60S5 SPI11N60S5 Cool MOS™ 功率晶体管具有 600 V 的 VDS，RDS(on) 为 0.38 Ω，ID 为 11 A。其特点包括：新型革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极限 dv/dt 额定值、超低有效电容和改进的传输电导。
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MD5: A5A910BBD9292CB863EF3435052DD98E
发布时间: 11 June, 2012
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连接: intersil SPP11N60S5, SPB11N60S5 SPI11N60S5 数据手册 PDF