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更新: 28 September, 2023
这份文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUF75639系列N沟道超级场效应晶体管的特点和特性。这些晶体管采用创新的UltraFET®工艺制造，具有最低的单位面积导通电阻，性能出色。该器件能够承受高能量的雪崩模式，并且二极管具有非常低的反向恢复时间和储存电荷。它设计用于对功率效率要求高的应用，如开关稳压器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。以前是开发型号TA75639。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 2A37485B435605B153AAE51BEC2484E7
发布时间: 11 June, 2012
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连接: FAIRCHILD HUF75639G3, HUF75639P3, HUF75639S3S, HUF75639S3 数据手册 PDF