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更新: 29 September, 2023
该文件介绍了一种名为HUF75631SK8的N沟道超低阻抗功率MOSFET器件，特点是具有超低导通电阻和温度补偿的模拟模型，并提供了模拟和热阻抗模型。该器件具有5.5A的峰值电流和100V的漏极到源极电压。
文件格式: PDF
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MD5: 7F21086733446936C809819B4612A069
发布时间: 11 June, 2012
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连接: intersil HUF75631SK8 数据手册 PDF