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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了HUF75309P3、HUF75309D3和HUF75309D3S这三种N-Channel UltraFET功率MOSFET器件的特性。这些器件采用了创新的UltraFET工艺制造，具有较低的导通电阻和出色的性能。它们能够承受高能量的雪崩模式，并且二极管具有很低的反向恢复时间和储存电荷。它们适用于对功率效率要求较高的应用，如开关调节器、开关转换器、电机驱动器、继电器驱动器、低压总线开关以及便携式和电池操作产品的电源管理。
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MD5: 78B4E04EE5BED092BEE260BD7111FE65
发布时间: 11 June, 2012
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连接: intersil HUF75309P3, HUF75309D3, HUF75309D3S 数据手册 PDF