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更新: 30 September, 2023
HGTP3N60C3D和HGT1S3N60C3DS是MOS门控高压开关器件，结合了MOSFET和双极晶体管的最佳特性。这些器件具有MOSFET的高输入阻抗和双极晶体管的低导通损耗。更低的导通电压损耗仅在25oC和150oC之间略有变化。所使用的IGBT是开发类型TA49113。与IGBT一起反向并联使用的二极管是开发类型TA49055。IGBT非常适合在适度频率下运行的许多高压开关应用，在这些应用中，低导通损耗至关重要。
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MD5: BF2C5BCB497F80EDCFD524A923A0E12C
发布时间: 11 June, 2012
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连接: intersil HGTP3N60C3D, HGT1S3N60C3DS Data Sheet PDF