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该文档介绍了富士通半导体的多芯片封装(MCP)闪存存储器和静态RAM产品。闪存存储器具有2.7V至3.3V的供电电压，90ns的最大访问时间，支持同时读写操作，最多可进行100,000次写/擦除循环。静态RAM具有85ns的最大访问时间，支持多种不同容量的扇区擦除和全片擦除。