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更新: 28 September, 2023
该文档介绍了富士通半导体的多芯片封装(MCP)闪存存储器和静态RAM产品。闪存存储器具有2.7V至3.3V的供电电压，90ns的最大访问时间，支持同时读写操作，最多可进行100,000次写/擦除循环。静态RAM具有85ns的最大访问时间，支持多种不同容量的扇区擦除和全片擦除。
文件格式: PDF
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MD5: 0C4C80F58F80D3F4B917A364AC35944C
发布时间: 08 June, 2012
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连接: FUJITSU SEMICONDUCTOR MB84VD2218XEG/EH/2219XEG/EH-90 数据手册 PDF