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Eon Silicon Solution, Inc. 于 2003 年推出 EN29F040A 4 兆位闪存，支持快速读取、写入和擦除操作。该闪存采用 0.23 微米三金属双多晶三井阱 CMOS 闪存技术，具有 100K 耐久周期，可在商用和工业温度范围内工作。