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更新: 28 September, 2023
这份文档介绍了2002年12月1日发布的STP6NC80Z和STB6NC80Z系列N沟道800V功率MOSFET。这些MOSFET具有1.5Ω的典型导通电阻、5.4A的电流能力、极高的dv/dt能力和门源极间稳压二极管。此外，它们还通过100%的雪崩测试以及极低的门极输入电阻来提供额外的ESD能力和更高的耐久性性能。该文档还列举了该系列MOSFET的绝对最大额定值和适用的应用领域。
文件格式: PDF
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MD5: 099511E40004C05EB062492984ED54D5
发布时间: 07 June, 2012
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