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MA5114 4k静态RAM采用CMOS-SOS高性能、辐射硬化、3μm技术制造。设计采用6个晶体管单元，具有完全静态操作，不需要时钟或定时触发。当芯片选择处于高电平状态时，地址输入缓冲器处于非选通状态。特点包括3μm CMOS-SOS技术、抗射线干扰、快速访问时间、总剂量106Rad(Si)、瞬态干扰>1010Rad(Si)/sec、SEU<10-10位误差/天、单一5V供电、三态输出、低待机电流、-55°C至+125°C工作温度范围、所有输入和输出完全兼容TTL或CMOS、完全静态操作、2V供电时数据保持。