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更新: 29 September, 2023
这份文档介绍了Fairchild Semiconductor的Si9926DY双路N沟道2.5V规定功率MOSFET的特点和特性。它采用了Fairchild Semiconductor先进的PowerTrench工艺，适用于具有宽范围栅极驱动电压（2.5V-10V）的功率管理应用。
文件格式: PDF
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MD5: 6ECF6733A33C7BF0F31009F6CD773032
发布时间: 06 June, 2012
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连接: FAIRCHILD Si9926DY DATA SHEET PDF