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更新: 29 September, 2023
该文件是关于国际整流器公司的RADHard HEXFET®技术在空间应用中提供高性能功率MOSFET的介绍。这些器件具有低Rdson和低门电荷的特点，适用于DC至DC转换器和电机控制等开关应用。
文件格式: PDF
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MD5: 67FF7AA3F55044561F27C5876854BAAF
发布时间: 05 June, 2012
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连接: International IOR Rectifier IRHE7230/JANSR2N7262U 数据手册 PDF