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该文档介绍了ACTS541MS辐射硬化八路三态缓冲器/线路驱动器的引脚排列、特性和特征。该产品是经过QML认证的，并符合MIL-PRF-38535标准。它采用了1.25微米的辐射硬化SOS CMOS工艺，具有高辐射耐受性和单事件干扰免疫性。该产品在任何条件下都不会出现锁定现象，适用于军用温度范围。相比ALSTTL逻辑，它能显著降低功耗。