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更新: 30 September, 2023
KMM5364003BSW/BSWG是三星生产的4Mx36bits动态随机存储器(DRAM)高密度存储模块，该模块由两个CMOS 4Mx16位和一个CMOS Quad CAS 4Mx4位DRAMs在TSOP包装中组成，安装在一个72针玻璃环氧基板上。每个DRAM上都安装了一个0.1或0.22uF去耦电容器。KMM5364003B是带有边缘连接的单个内存模块，用于安装在72针边缘连接器插座中。
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MD5: 8C90CBC6D9A510524E972A829EF2B935
发布时间: 04 June, 2012
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连接: 三星 KMM5364003BSW/BSWG 数据手册 PDF