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更新: 28 September, 2023
HY57V561620T是一种268,435,456位的CMOS同步DRAM，适用于需要大容量和高带宽的主存储器应用。它由4个4,194,304 x 16的存储块组成，具有完全同步操作和内部流水线设计，支持多种可编程选项。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 061B8901E2BEDC6A696814411C3A7536
发布时间: 04 June, 2012
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连接: HYNIK HY57V561620(L)T 4Banks x 4M x 16Bit Synchronous DRAM PDF