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这是一份Motorola TMOS功率MOSFET晶体管设备数据的文档。该设备是一种N沟道增强型硅栅MOSFET，设计用于承受雪崩和换向模式下的高能量。它还具有快速恢复时间的漏极-源极二极管，适用于功率供应、变换器和PWM电机控制的低压、高速开关应用。该设备特别适用于桥式电路，在其中二极管速度和换向安全工作区域至关重要，并提供额外的安全裕度以防止意外的电压过渡。