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AO4916是安森美半导体推出的一款双N沟道增强型MOSFET，其最大沟道电压为30V，最大漏极电流为8.5A。该器件采用了先进的沟槽技术，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于DC-DC转换器。