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更新: 30 September, 2023
AO4916是安森美半导体推出的一款双N沟道增强型MOSFET，其最大沟道电压为30V，最大漏极电流为8.5A。该器件采用了先进的沟槽技术，具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷，可用于DC-DC转换器。
文件格式: PDF
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MD5: D84B1740D08FBA4D727E02EAC57A74E8
发布时间: 10 May, 2012
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