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更新: 30 September, 2023
BS62LV1029 是非常低功耗/电压 CMOS SRAM，128K x 8 位，工作电压范围为 4.5V ~ 5.5V，具有超低功耗，最高可达 0.6uA（典型）的 CMOS 待机电流，以及高达 55ns（最快）的访问时间。
文件格式: PDF
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MD5: 9A4DE4357B789125D85CF44C53EE7E2E
发布时间: 10 May, 2012
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连接: BSI BS62LV1029 Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 128K X 8 bit 数据手册 PDF