philips Si9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor 数据手册

Si9956DY是一种双N沟道增强模式场效应晶体管,采用TrenchMOS™1技术,具有低导通电阻和快速开关特性。适用于DC-DC转换器、直流电机控制、锂离子电池应用、笔记本电脑和便携设备应用。


品牌
飞利浦
文件格式
PDF
发布时间
2012年5月10日
更新时间
2023年9月28日
MD5 校验值
074A9921E874DC026E68F30CD5F6365C
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