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更新: 28 September, 2023
Si9956DY是一种双N沟道增强模式场效应晶体管，采用TrenchMOS™1技术，具有低导通电阻和快速开关特性。适用于DC-DC转换器、直流电机控制、锂离子电池应用、笔记本电脑和便携设备应用。
文件格式: PDF
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MD5: 074A9921E874DC026E68F30CD5F6365C
发布时间: 10 May, 2012
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连接: philips Si9956DY N-channel enhancement mode field-effect transistor 数据手册 PDF