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更新: 28 September, 2023
IRF的R5TM技术提供了适用于太空应用的高性能功率MOSFET。这些器件已经经过单事件效应(SEE)的特性化,其有效性能可达到80(MeV/(mg/cm2))的LET。低RDS(on)和低栅电荷的组合减少了在DC到DC转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。这些器件保留了MOSFET的全部优点,如电压控制、快速开关、易于并联和温度稳定性。
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MD5: 091D98259ECAE442DC34CCD2C9589818
发布时间: 09 May, 2012
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