lnternational IOR Rectifier IRHMS57Z60 数据手册

更新: 28 September, 2023

IRF的R5TM技术提供了适用于太空应用的高性能功率MOSFET。这些器件已经经过单事件效应(SEE)的特性化,其有效性能可达到80(MeV/(mg/cm2))的LET。低RDS(on)和低栅电荷的组合减少了在DC到DC转换器和电机控制等开关应用中的功率损耗。这些器件保留了MOSFET的全部优点,如电压控制、快速开关、易于并联和温度稳定性。


文件格式: PDF

体积: -

MD5: 091D98259ECAE442DC34CCD2C9589818

发布时间: 09 May, 2012

下载: -

连接: lnternational IOR Rectifier IRHMS57Z60 数据手册 PDF

Also Manuals