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更新: 28 September, 2023
该文档介绍了国际整流器(IR)的RAD-HardTM HEXFET® MOSFET技术，该技术提供了用于空间应用的高性能功率MOSFET。这些器件具有低Rdson和低门电荷，可减小开关应用中的功率损耗。此外，它们还保留了MOSFET的所有优点，如电压控制、快速切换、易于并联和电气参数的温度稳定性。
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MD5: 01A5EB5176AFC538C7A8AA0F4F9794EF
发布时间: 09 May, 2012
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连接: lnternational IOR Rectifier IRHE9130 100V, P-CHANNEL 数据手册 PDF