BSI BS616LV1611 Very Low Power/Voltage CMOS SRAM 1M X 16 bit

更新: 29 September, 2023

BS616LV1611是一款高性能、超低功耗的CMOS静态随机存取存储器，采用1,048,576字x 16位的组织结构，工作电压范围为2.4V至5.5V。先进的CMOS技术和电路技术提供了高速和低功耗特性，具有典型的CMOS待机电流为3.0uA（3V / 25oC）和最大存取时间为55ns（3.0V / 85oC）。通过一个低电平芯片使能（CE1）、高电平芯片使能（CE2）、低电平输出使能（OE）和三态输出驱动器，可以轻松扩展存储器容量。BS616LV1611具有自动休眠功能，在取消选择芯片时可以显著降低功耗。BS616LV1611采用48引脚BGA封装。

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MD5: 783D93142D5706A0350E3CEA6BF37606

发布时间: 09 May, 2012

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