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更新: 30 September, 2023
STP6NB90 是一款由 STMicroelectronics 公司设计的高性能 N 沟道 MOSFET，其采用最新的高压 MESH OVERLAY 工艺，具有非常低的 RDS(on) 和 dv/dt 能力，以及无与伦比的门极电荷和开关特性。该产品适用于高电流、高速度开关、开关模式电源 (SMPS)、直流-交流转换器、焊接设备和不间断电源等应用。
文件格式: PDF
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MD5: 148C414965EC67D66A9134759F0B3799
发布时间: 08 May, 2012
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连接: ST STP6NB90/STP6NB90FP 数据手册 PDF