SGS-THOMSON STP20N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR数据手册

STP20N10是一款N通道增强型功率MOS晶体管,其典型RDS(on)为0.09欧姆,具有100%的雪崩测试,重复雪崩数据在100oC,低栅极电荷,高电流能力,175oC的操作温度和应用导向的特性。


品牌
SGS-THOMSON
文件格式
PDF
发布时间
2012年5月7日
更新时间
2023年9月30日
MD5 校验值
9818AED0D9669333F66360D0AB9C0379
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