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更新: 30 September, 2023
STP20N10是一款N通道增强型功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为0.09欧姆，具有100%的雪崩测试，重复雪崩数据在100oC，低栅极电荷，高电流能力，175oC的操作温度和应用导向的特性。
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MD5: 9818AED0D9669333F66360D0AB9C0379
发布时间: 07 May, 2012
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连接: SGS-THOMSON STP20N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR数据手册 PDF