PHILIPS PMWD18UN Dual N-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET Rev. 02 — 23 February 2004

更新: 28 September, 2023

该文件介绍了PMWD18UN型双N沟道超低电平场效应晶体管的特点和特性,包括使用TrenchMOS™技术、低阈值、快速开关等。


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发布时间: 07 May, 2012

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