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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了PMWD18UN型双N沟道超低电平场效应晶体管的特点和特性，包括使用TrenchMOS™技术、低阈值、快速开关等。
文件格式: PDF
体积: -
MD5: 3896F7DF56D63ED6FFF9C5A4A6D1A2C6
发布时间: 07 May, 2012
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连接: PHILIPS PMWD18UN Dual N-channel µTrenchMOS™ ultra low level FET Rev. 02 — 23 February 2004 PDF