西门子 BUZ 91 SIPMOS Power Transistor 数据手册

该文档介绍了BUZ 91半导体功率晶体管的特点和特性。它是一种N沟道增强型功率晶体管,具有600V的漏源击穿电压、8.5A的连续漏极电流和0.8Ω的漏源电阻。该晶体管还具有抗电击能力和低漏极电阻。它适用于各种功率应用。


品牌
西门子
文件格式
PDF
发布时间
2012年5月7日
更新时间
2023年9月28日
MD5 校验值
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