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更新: 28 September, 2023
该文档介绍了BUZ 91半导体功率晶体管的特点和特性。它是一种N沟道增强型功率晶体管，具有600V的漏源击穿电压、8.5A的连续漏极电流和0.8Ω的漏源电阻。该晶体管还具有抗电击能力和低漏极电阻。它适用于各种功率应用。
文件格式: PDF
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MD5: 0B1B4362D325AA8E9DD527EB942E8629
发布时间: 07 May, 2012
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连接: 西门子 BUZ 91 SIPMOS Power Transistor 数据手册 PDF