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这个集成电路是用于GSM类别IV手机的。该设备在4.8伏供电电压下，规定了2.8瓦的输出功率和48％的最小功率增益效率。为了实现这种卓越的性能，Motorola采用了平面GaAs MESFET工艺。该设备采用PFP-16功率平板封装，通过可焊接的背面接触提供出色的热性能。