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更新: 30 September, 2023
该数据表是关于PUB4702硅N通道功率F-MOS FET的，它具有保证的雪崩能量容量、高速度开关、低导通电阻、无二次击穿、低电压驱动和内置齐纳二极管的特点。它可用于接触式继电器、电磁线圈的潜水电路、电机的驱动电路、控制设备和开关电源。
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发布时间: 07 May, 2012
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