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该文件介绍了IR2130/IR2132(J)(S)型号的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器的特点。它具有三个独立的高和低侧参考输出通道，采用专有的HVIC技术，具有坚固的单片结构。逻辑输入与CMOS或LSTTL输出兼容，下至2.5V逻辑。通过外部电流感应电阻，接地参考的运算放大器提供桥电流的模拟反馈。从这个电阻还可以得到一个终止所有六个输出的过流保护功能。开漏FAULT信号指示是否发生过流或欠压关闭。输出驱动器具有为最小驱动交叉导通而设计的高脉冲电流缓冲级。传播延迟匹配，以简化在高频率下的使用。