intersil FSYA450D, FSYA450R 数据手册

更新: 29 September, 2023

这份文件介绍了Intersil开发的Radiation Hardened MOSFET系列产品，针对商业和军事空间应用而设计。这些产品具有增强的抗单事件效应（SEE）和单事件栅断裂（SEGR）能力，以及100K RADS的总剂量硬度，非常适合苛刻的空间环境。该MOSFET系列包括N-Channel和P-Channel器件，具有多种电压、电流和导通电阻等级。可提供多种封装选项。这种MOSFET是一种增强型硅门功率场效应晶体管，具有垂直DMOS（VDMOS）结构。它经过专门设计和加工，具有辐射耐性。该MOSFET非常适用于暴露在辐射环境中的应用，如开关调节、开关转换器、电机驱动、继电器驱动器和需要高速和低门极驱动功率的高功率双极开关晶体管驱动器。可直接从集成电路中操作。可提供商业可靠性筛选，相当于MIL-S-19500的TXV级别，或相当于MIL-S-19500的空间级别。如有任何与数据不符的要求，请与Intersil联系。

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MD5: 7DA9E519FAD9556A9DAADA8375CE6940

发布时间: 04 May, 2012

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