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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了Fairchild Semiconductor International生产的FQAF33N10L型号N沟道MOSFET的特点和特性。这些MOSFET采用了Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低开态电阻、优异的开关性能和能够承受高能量脉冲的特点。适用于低压应用，如高效率开关DC/DC转换器和直流电机控制。
文件格式: PDF
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MD5: 0B372776F06F1D083FB7CD5520BA4709
发布时间: 12 April, 2012
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连接: FAIRCHILD FQAF33N10L 说明书 PDF