PHILIPS PHK28NQ03LT 数据手册

PHK28NQ03LT TrenchMOS 逻辑级 FET 是 N 沟道增强型场效应晶体管,采用 TrenchMOS 技术制成,封装为塑料外壳的 SOT96-1 (SO8)。


品牌
飞利浦
文件格式
PDF
发布时间
2012年4月12日
更新时间
2023年10月1日
MD5 校验值
B212E9CA59563ECB294D584BF0C2D5F4
下载 PDF

飞利浦 的其他说明书


查看 飞利浦 全部说明书 →