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更新: 01 October, 2023
PHK28NQ03LT TrenchMOS 逻辑级 FET 是 N 沟道增强型场效应晶体管，采用 TrenchMOS 技术制成，封装为塑料外壳的 SOT96-1 (SO8)。
文件格式: PDF
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MD5: B212E9CA59563ECB294D584BF0C2D5F4
发布时间: 12 April, 2012
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连接: PHILIPS PHK28NQ03LT 数据手册 PDF