STMICROELECTRONICS STD22NM20N 说明书

更新: 28 September, 2023

该文档介绍了200V的N沟道MOSFET产品的特点和特性,包括全球最低的栅极电荷、典型的导通电阻、高斜率和雪崩能力、低输入电容和低栅极电阻。该产品适用于电信和计算机应用中的隔离DC-DC转换器的主开关,可与二次侧低压STripFET产品结合使用以降低损耗并提高效率。


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发布时间: 11 April, 2012

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