TAIWAN SEMICONDUCTOR TSM1N60L 600V N-Channel Power MOSFET 数据手册

更新: 30 September, 2023

TSM1N60L是一种高压、高速度开关应用的N沟道功率MOSFET，其采用了先进的终端方案，可以提供增强的电压阻挡能力，而不影响其性能。此外，这款先进的MOSFET还专为承受雪崩和换向模式下的高能量而设计。该款MOSFET采用了新的高能效设计，并具有快速恢复时间的漏至源二极管。这款MOSFET专为电源、转换器和PWM电机控制中的高压、高速度开关应用而设计，特别适用于对二极管速度和换向安全工作区域要求极高的桥接电路。这款MOSFET还能提供额外的安全裕度，以抵御意外的电压瞬变。

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发布时间: 11 April, 2012

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