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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了2003年6月1日发布的一种N沟道MOSFET，型号为STD2NC45-1和STQ1NC45。该器件具有450V的漏源电压、4.1Ω的导通电阻和1.5A的漏极电流。它具有极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试以及最小化的栅电荷。此外，该器件适用于开关模式低功率电源、低功率、低成本的紧凑型荧光灯和低功率电池充电器等应用。
文件格式: PDF
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MD5: 82D4B8A342C533982B65665A64F89F98
发布时间: 10 April, 2012
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连接: STMICROELECTRONICS STD2NC45-1 STQ1NC45 数据手册 PDF