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更新: 01 October, 2023
NTGS4111P是Semiconductor Components Industries, LLC生产的一款功率MOSFET，其特点是采用领先的-30 V沟槽工艺，具有低RDS(on)，低剖面封装适用于便携式应用，表面贴装TSOP-6封装节省板空间，提高了电池应用的效率，铅免封装可用。
文件格式: PDF
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MD5: AF2F3073EBEEC4B0B34B13B6FB3BAD8E
发布时间: 10 April, 2012
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连接: ON SEMICONDUCTOR NTGS4111P 数据手册 PDF