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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了IRFB3077PbF HEXFET功率MOSFET的特点和特性，包括全球最佳的RDS(on)，改进的门极、雪崩和动态dV/dt耐压能力，全面测试的电容和雪崩安全操作区域，增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。
文件格式: PDF
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MD5: 0379ECFF3C08B381A979CBD80F065147
发布时间: 09 April, 2012
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连接: INTERNATIONAL RECTIFIER IRFB3077PbF 数据手册 PDF