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更新: 30 September, 2023
该数据表详细介绍了BUZ 73 AL SIPMOS ®功率晶体管的特性。该晶体管具有N沟道、增强型、雪崩额定和逻辑电平功能。它具有200V的最大沟道-源击穿电压、5.5A的连续漏极电流和0.6Ω的漏极-源导通电阻。
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MD5: CA705DED54509E2CE94B9085FCF92026
发布时间: 06 April, 2012
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