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更新: 29 September, 2023
该文件是关于BSP297 Rev. 1.21 SIPMOS小信号晶体管的产品摘要。该晶体管为N沟道增强型逻辑电平MOSFET，具有最大200V的漏源电压和1.8Ω的漏源电阻。其特点包括增强型逻辑电平，dv/dt评级和PG-SOT-223封装。
文件格式: PDF
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MD5: 7CCA67A470E2B24057E9411516E577BC
发布时间: 06 April, 2012
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