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SPP11N65C3, SPA11N65C3 SPI11N65C3 Cool MOS™ 功率晶体管，具有 650 V 的 VDS、0.38 的 RDS(on) 和 11 A 的 ID。其特点是新的革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端 dv/dt 额定、高峰值电流能力和改进的传导率。